【DDR6 ... 😱】次世代記憶體 DDR6 啟動早期開發 !! 據南韓媒體報導，Samsung、SK hynix 及 Micron 已正式啟動 DDR6 記憶體的早期開發工作，理論傳輸速率最高可達 17.6 Gbps，頻寬效能預計將實現翻倍增長，三大廠將目標鎖定在 2028 年至 2029 年間正式發布。