【重大突破 ⚠️】過去半個世紀以來，全球半導體產業主要依靠縮減電晶體體積，並將其更緊密地排列在二維平面晶片上，以推動運算能力的增長。然而，隨著物理極限逼近，這種單純依賴微縮的傳統路徑正面臨嚴峻挑戰。近日，美國 University of Illinois Urbana-Champaign 研究團隊取得重大技術突破，成功透過「單晶片三維整合」（Monolithic 3D Integration）技術，直接在底層電晶體上逐層垂直建構單晶矽電晶體電路。此舉不僅大幅縮短內部連線距離，更有望在無需縮小電晶體元件尺寸的前提下，延續半導體產業長期遵循的「摩爾定律」。