去年下半年起，不少芯片設計公司開始對英特爾的EMIB先進封裝技術產生興趣，有意打造“前端投片台積電，後端封裝英特爾”的新模式。由於台積電的先進封裝產能面臨供應瓶頸，產能擴張很難趕上市場需求，部分廠商希望能尋求其他途徑。

據Wccftech 報道 ，近日聯發科發表聲明，稱下一代芯片計劃採用英特爾EMIB-T封裝，目標2026年第四季度流片，2027年第四季度實現量產。暫時還不清楚聯發科哪些芯片會採用EMIB-T封裝，有可能涉及定製的AI芯片或SoC。

傳聞聯發科已經在增加新的供應商，以應對EMIB-T封裝的訂單需求。對於英特爾代工業務來説，取得了一場戰略性勝利。過去幾個月裏，半導體供應鏈已經進行了相當長時間的討論，谷歌計劃2027年發佈的TPU v9可能採用EMIB封裝。聯發科作為谷歌定製TPU的合作伙伴，應該也一起對英特爾提供的封裝技術進行了評估。

EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）是首個2.5D嵌入式橋接解決方案，英特爾自2017年以來一直在出貨EMIB產品。其使用了小型嵌入式硅橋在單個封裝內連接多個小芯片，從而消除了對大型中介層的需求。EMIB-T則是在EMIB基礎上，提升了關鍵的封裝供電效率指標，並加快了芯片間通信速度。

標準EMIB連接由於採用懸臂式供電路徑而存在高電壓降問題，而EMIB-T利用硅通孔（TSV） 從芯片封裝底部通過TSV橋接芯片進行供電，從而實現了直接、低電阻的供電路徑，這對於HBM4/4E集成至關重要。與此同時，TSV還提升了芯片間的通信帶寬，使用UCIe-A互連技術，將數據傳輸速率提升至32 Gb/s或更高。