去年台積電（TSMC）公佈了下一代A14製程工藝，計劃2028年投產，隨後傳出其決定堅持使用原有的EUV光刻設備。今年台積電更新了工藝技術路線圖，首次公佈了A14衍生的A13和A12製程工藝，顯示仍然不會引入High-NA EUV光刻技術。這種做法也遭到了外界的一些質疑，認為台積電隨着半導體制造技術處於領先位置，對先進工藝及設備的投資也趨於保守，或許會像當年英特爾那樣，走上錯誤的道路。

據TrendForce 報道 ，近日台積電董事長兼總裁魏哲家在股東大會上，駁斥了外界有關台積電不打算投資High-NA EUV的言論，強調台積電早已購入了設備，並積極開展相關技術的研發工作。

魏哲家表示，台積電尚未打算大規模購買High-NA EUV光刻機用於生產，主要原因還是純粹的成本問題。現在台積電的目標是努力提升效率，並降低成本，在條件合適的時候將新技術投入到生產當中。

相比於英特爾等其他競爭對手積極投向High-NA EUV，台積電確實顯得相當謹慎，動作有些緩慢，畢竟這款最先進的光刻機成本高達4億美元。去年末，英特爾 宣佈 已安裝了最新的TWINSCAN EXE:5200B系統，屬於第二代High-NA EUV，將用於Intel 14A製程節點的生產。按照英特爾的安排，Intel 14A預計2027年至2028年之間開始量產。

台積電是在2024年9月 接收 到首台High-NA EUV光刻機，並移送至其全球研發中心展開相關研究工作。