在HotChips 33大會上，三星對外公佈了他們正在開發擁有8層TSV封裝的DDR5內存，而現在三星的DDR4是用4層TSV封裝的，這使得DDR5內存的容量是DDR4的兩倍，未來單根512GB的DDR5成為可能。

根據 Computerbase 的報道，三星通過優化封裝，芯片之間的間隙減少了40%，而且使用了薄晶圓技術，這使得8層TSV封裝的DDR5高度其實比4層的DDR4更低，而且這還帶來了更好的散熱能力。

一根DDR5內存的容量能達到512GB，這和DDR4相比是一個巨大進步，目前面向服務器市場的DDR4內存最多做到單根256GB，而消費級市場最多是64GB和32GB。

三星預計DDR5內存會比DDR4性能提高85%，可提供7.2Gbps的帶寬，並且有兩倍的容量，而且DDR5內存模塊的電壓只有1.1V，這使得它工作起來更為節能。當然了三星所説的512GB是指服務器內存，普通消費市場不用期待單根內存容量很快突破64GB。

三星預測要到2023或2024年主流市場才會過度到DDR5，而數據中心市場轉向會更快一些，所以三星計劃在今年年底前生產512GB的DDR5-7200內存模組。