近日英偉達創始人兼首席執行官黃仁勳與SK海力士高層高調會談， 宣佈 達成一項為期多年的技術合作，以推進全球人工智能（AI）工廠建設的下一代存儲器，加速半導體設計和製造。隨後黃仁勳又與三星高層會面，討論的重點放在了HBM及晶圓代工業務上。

據TrendForce 報道 ，英偉達與三星正在尋求加強合作，擴大合作的範圍。短期內的優先事項是確保今年HBM4和SOCAMM2內存模塊的穩定供應，同時討論明年開始的長期合作，涉及到HBM4E、HBM5、以及芯片代工項目。

目前三星正在使用4nm和8nm工藝為英偉達生產自動駕駛芯片及Groq芯片，這些合作大概率都將延續到下一代產品上。其中在第三代Groq LPU（LP30）選用的是4nm工藝，儘管業界普遍預期台積電（TSMC）憑藉自身在先進封裝領域的優勢獲得下一代Groq芯片的訂單，不過三星也具備LP40的生產條件，而且能給出不錯的折扣優惠。

三星已經確定為英偉達新一代Vera Rubin平台供應HBM4，得益於4nm基礎裸片（Base Die）和1cnm（第六代10nm級別）工藝製造DRAM芯片的組合，提供了三大原廠裏最佳的性能及能效表現。另外三星還將為英偉達供應基於LPDDR5X的SOCAMM2內存模塊，還有基於PCIe 6.0標準打造的PM1763存儲解決方案。

隨着逐步解決過去幾年裏DRAM製造方面遇到的技術和良品率問題，三星的HBM4E也更多地被英偉達所重視。上個月三星宣佈開始向全球範圍內的主要客户交付業界首批12層堆疊HBM4E樣品，提供了穩定的14Gbps速率，未來可繼續提高至16Gbps。

英偉達暫時還沒有與三星簽下長期DRAM供應協議，不過三星已經表態，將盡最大努力作為關鍵合作伙伴支持英偉達。