SK海力士 宣佈 ，已向主要客户供應HBM4E樣品，這是面向人工智能（AI）應用的下一代超高性能DRAM。

SK海力士表示，憑藉長期以來積累的HBM先導開發能力和量產經驗，已成功向客户提供12層堆疊的HBM4E樣品，接下來將與主要客户緊密協作，確保產品能按時量產。憑藉在HBM3、HBM3E和HBM4上積累的量產和供應經驗，始終能夠適時提供符合客户需求的存儲器解決方案。未來將繼續依託經市場認可的品質和供應能力，與客户攜手解決AI系統瓶頸問題，全力支持下一代基礎設施的構建。

新產品相比於上一代的HBM4，性能和能效均取得了跨越式升級。其引腳速率最高可達16Gbps，並將能效提高20%以上，顯著提升了AI訓練和推理所必需的數據處理能力。另外HBM4E通過新一代接口和設計優化，有效降低了數據傳輸延遲，即使在高帶寬環境下也能保持穩定運行，將進一步提升下一代AI數據中心和大規模計算系統的處理效率。

SK海力士在HBM4E產品採用了Advanced MR-MUF工藝，通過12層堆疊實現48GB容量的同時，進一步提高了結構穩定性。與HBM4相比，HBM4E的熱阻降低了約17%，確保了在高性能計算環境中的穩定運行。