今年2月，SK海力士（SK hynix）與閃迪（SanDisk）聯合舉辦了“HBF規格標準化聯盟啓動會”，正式發佈面向AI推理時代的下一代存儲器解決方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球標準化戰略。其中閃迪是更為積極的一方，畢竟SK海力士還有廣受客户歡迎的高利潤HBM產品線，而閃迪要進一步切入AI市場，需要通過HBF尋找更多的機會。

據TrendForce 報道 ，閃迪正在推動下一代HBF技術的開發，希望能解決限制容量的結構問題，從而加入更多的存儲單元。根據閃迪早前申請的一份專利，顯示將計算芯片堆疊在NAND閃存上方，另外同一中介層上還能放置HBM芯片，位於計算芯片與NAND閃存周圍，最終將這些模塊封裝在一起。

閃迪的這一做法源於HBM固有的侷限性，尤其是容量方面的限制，另外還有HBF尚未完全解決的挑戰，包括延遲、能效、以及系統層集成的複雜性。為了克服HBM的容量問題，閃迪和SK海力士提出了HBF，與HBM類似的設計理念，垂直堆疊多層NAND閃存，並通過硅孔孔（TSV）連接，形成統一的內存堆棧。這次提出的是一種3D堆疊的新設計，將一個基於CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術構建的NAND閃存模塊置於GPU等計算芯片的下方。

在這種配置下，HBM仍會集成在同一個中間介體上，在整體內存-計算層級中將扮演獨立角色。該架構允許HBM處理即時高速內存操作，而NAND閃存層則用於讀寫密集型工作負載和大規模數據存儲。