三星正積極籌備生產其下一代 1D DRAM。目前，三星正與多家合作伙伴聯合開發第七代10nm級（1d）DRAM的量產設備，目標最早於明年第二季度將設備導入產線，並計劃最早在2027年上半年啓動初步量產準備工作。

根據 ZDNet 報道，三星正與其合作伙伴共同研發設備，以啓動下一代DRAM的生產。該公司最新的DRAM芯片目前採用1c DRAM技術製造，這是目前最先進的水平式內存芯片製造技術，它大量運用極紫外（EUV）光刻技術和金屬柵極，充分利用了三星在芯片製造方面的豐富經驗。

所謂1d DRAM，是指電路線寬達到10至11nm級別的DRAM產品。作為對比，目前商用最先進的第六代10nm級1c DRAM 線寬約為11至12nm。線寬越窄，DRAM的性能和能效就越高。

此前，三星已通過內部評估完成1d DRAM初期樣品製造等環節，為量產做準備。有分析曾預計三星今年內就能啓動1d DRAM量產，但業界普遍認為該預測過於樂觀——關鍵原因在於，製造1d DRAM所需的核心設備仍處於開發階段。

目前，三星與合作伙伴商討的1d DRAM量產設備引進目標時間為明年第二季度。考慮到實際量產準備所需的週期，業界分析認為三星最早要在明年年底左右才能啓動1d DRAM的小規模量產。

一位半導體行業人士透露："三星正積極推進與主要供應商在1d DRAM良率和性能穩定化方面的聯合研發。時間表可能會有變動，但目標是在明年二季度或三季度完成設備導入。"