三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上，公佈了未來的技術路線圖，顯示將會在2025年開始大規模量產2nm工藝，更為先進的1.4nm工藝將首次引入High-NA EUV光刻技術，預計會在2027年量產。不過三星在去年調整了規劃，表示1.4nm工藝的量產工作將延後至2029年，將重點放在2nm工藝的優化上，提升性能和能耗表現，並提高良品率，原因是晶圓代工部門在當時狀態下無法控制運營損失。

據TrendForce 報道 ，隨着英特爾與台積電（TSMC）在2028年至2029年左右實現1.4nm工藝的大規模生產，三星打算重新加入競爭，推進1.4nm工藝的開發工作，只不過量產時間方面會稍微落後於競爭對手。

有消息稱，三星最近向國內外的合作伙伴發出請求，早日開發相關工藝設備。有消息人士透露，三星已經在NRD-K工廠安裝了ASML的下一代High-NA光刻設備，將從1.4nm工藝開始，應用於特定工藝層。

三星重新推進1.4nm工藝項目引發了外界的關注，被認為是縮小與台積電等競爭對手的舉動。台積電計劃最早2027年3月試產1.4nm工藝，2028年下半年實現大規模生產。英特爾的Intel 18A-P工藝已經進入試點生產階段，Intel 14預計2028年實現風險生產，並於2029年量產。

考慮到新一代AI芯片對於半導體工藝有着更高的要求，如果三星的1.4nm工藝在量產方面落後太多，那麼很可能會失去市場機會。即便開發和生產資源根據實際需求進行調整，三星也不希望太拖沓。