【2nm 不是夢 😱】中國媒體報道，近日中芯國際傳出重大突破，藉著「自對準四重圖案化（SAQP）」與「微影-蝕刻-微影-蝕刻（LELE）」的混合圖案化技術（Patterning Approach），試圖在後段製程（BEOL）中突破物理限制，以更小的線寬與更高的電晶體密度，實現 2nm ~ 3nm 先進製程晶片的量產。