SK海力士2026H2重啓大連二廠擴建工程,未來將生產238層NAND閃存芯片

過去這段時間裏,隨着市場對NAND閃存需求量激增,製造商在經歷了短暫的停滯後,開始逐步恢複相關擴產計劃。SK海力士已宣佈耗資約500億美元,在韓國興建新的NAND閃存生產線。與此同時,SK海力士也開始推進中國工廠的建設項目。

據TrendForce 報道 ,SK海力士打算2026年下半年重啓大連二廠的擴建工程,開始安裝生產設備,並分階段完成設施建設,直到2027年上半年。SK海力士的合作伙伴已開始將韓國閒置的設備運往大連,而海外的供應商已經受到設備交付的初步採購訂單。

過去由於美國的限制措施,加上NAND閃存行情長期處於低迷狀態,SK海力士選擇暫停大連二廠的擴建工程。未來大連二廠將能生產238層NAND閃存,月產能目標為3萬至5萬片晶圓。與此同時,大連一廠也將切換生產線,更換老舊設備,生產192層NAND閃存。雖然SK海力士在韓國大張旗鼓地進行投資,但是有報告稱,大連二廠才是SK海力士擴建速度最快的NAND閃存生產基地。

除了NAND閃存外,近期SK海力士也在擴建其在中國的DRAM生產設施,正逐步提升無錫工廠的產能。