在今年年初我們報道過三星已經攻克了3nm工藝的關鍵GAA全能門技術，並且打算在2021年實現量產，並希望以此在3nm競爭中擊敗台積電，但由於新冠病毒的大流行，這一計劃可能要被推遲了。

根據 Digitimes 的報道，由於新冠病毒的流行打亂了三星公司原本為新生產線安裝設備的安排，因為病毒對物流和運輸服務的影響導致了EUV和其他生產設備的交付延遲了，三星可能會把3nm工藝的投產時間推遲到2022年，這對三星會造成什麼影響暫時還未知。

三星的3nm工藝將不再使用FinFET技術相而是轉向GAA技術，新的技術可以讓芯片面積減少35%，功耗下降約50%，3nm GAA工藝與5nm FinFET工藝相比，同樣功耗情況下性能提升33%。

GAA全能門與FinFET的不同之處在於，GAA設計圍繞着通道的四個面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓並且改善了對通道的控制，這是縮小工藝節點時的基本步驟，使用更高效的晶體管設計，再加上更小的節點尺寸，和5nm FinFET工藝相比能實現更好的能耗比。