現在的存儲芯片短缺就是因為AI市場需求旺盛引起的，而2027年全球存儲器市場需求仍由AI應用主導。受AI服務器需求強勁推動，DRAM因HBM持續排擠產能，市場維持供給緊張格局，價格走勢偏強。相比之下，NAND Flash在新產能集中釋放、終端消費需求走弱的背景下，下半年供給或趨寬鬆，價格面臨下行壓力。

TrendForce 指出，為應對AI基礎建設擴張，各大DRAM原廠已啓動產能擴充計劃。2026年供應商通過提高既有廠區產能、加速製程升級來支撐位元供給擴張。2027年雖有數家供應商規劃新產能投產，但受限於建廠工期、設備移機等約束，多數新廠投片放量落在下半年，顯著產出貢獻要在2028年才能體現。

更關鍵的是，HBM製造流程所需的晶圓投入遠高於一般DRAM，新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出，這將限制2027年DRAM整體供給成長幅度。

在需求端，北美雲端服務商持續提高資本支出，英特爾、AMD新一代CPU平台加速出貨，加上Agentic AI逐步商業化，2027年全球服務器出貨量增速將較2026年的17%進一步擴大。單機HBM搭載容量增長及SOCAMM等新規格導入，也顯著拉動單機存儲容量。反觀智能手機、筆記本等消費終端，因成本轉嫁導致整機售價上調，消費意願受抑，出貨預計延續下滑。

預計2026年DRAM供需差額約-1%至-2%，由於需求增長持續超過供應擴張，2027年供需缺口將進一步擴大。

2026年NAND Flash原廠主要通過製程升級增加位元供給。由於AI服務器、高容量企業級固態硬盤需求旺盛，供應商持續提高企業級SSD的供給比重，以規避消費端需求平淡可能帶來的獲利風險。隨着各大廠加速升級至高層數產品，以及新廠產能逐步釋放，2027年位元供給成長幅度將超越2026年，市場產出規模迎來顯著擴張。

在需求端，服務器部署需求穩健，雲端服務商與企業客户對高速、大容量企業級SSD的採購力度強勁。其中，QLC SSD表現最為突出，憑藉更高的存儲密度和更具競爭力的單位成本，將成為支撐2027年NAND Flash位元需求增長的核心動力。相較之下，消費電子市場因終端售價陸續上調，消費電子產品的需求預計將保持低迷。

2027年NAND Flash供需充分比將轉為正值，表明市場將從供應受限的環境過渡到更加平衡的市場環境。在產能陸續釋放、消費電子需求仍偏弱的情況下，價格可能面臨一定下行壓力。然而，若Agentic AI的普及取得突破性進展，AI服務器對高速SSD的需求將再度大幅拉昇，屆時整體供需格局或重新趨近平衡。