鎧俠（Kioxia） 宣佈 ，第九代BiCS FLASH 1Tb TLC閃存已開始送樣。新產品專為對性能有高要求、搭載人工智能（AI）功能的中低存儲容量PC和智能手機等應用場景打造，融合了現有存儲單元與先進的CMOS技術，大幅提升投資效益。

第九代BiCS FLASH 1Tb TLC閃存以鎧俠創新的CBA（CMOS直接鍵合到存儲陣列）技術以及OPS（同節距選擇柵漏極）技術為基礎，基於第八代BiCS FLASH技術的230層堆疊工藝與先進的CMOS技術研發而成，實現了4.8 Gb/s的NAND接口速度，相比第八代提升33%，性能比肩第十代產品。

鎧俠強調，將繼續推行雙線並行發展戰略，以滿足尖端應用的多樣化需求，同時提供具有競爭力的產品，提供最佳的投資效率。在該戰略下，鎧俠同步推進兩條不同的產品線：第九代在相對較低的投資成本下提供高性能的同時實現卓越性能；第十代則通過先進的堆疊工藝實現超大容量與卓越性能。

鎧俠表示，將秉承“記憶由芯，世界尤新”的使命，致力於加強其全球合作伙伴關係並追求進一步的創新，繼續滿足客户多樣化需求，為新一代AI基礎設施提供前沿存儲解決方案。