閃迪（ SanDisk ）與SK海力士（ SK hynix ）宣佈，共同發佈下一代存儲技術高帶寬閃存（HBF，High Bandwidth Flash）的首個標準規範。這是繼閃迪與SK海力士去年8月啓動HBF標準化合作，並於今年2月成立聯盟後，歷時約6個月推出的首項成果。

HBF是介於HBM和固態硬盤之間的新型存儲層級，不僅具備與HBM類似的高速數據傳輸能力，還可基於NAND閃存大幅提升容量。在AI推理普及、數據處理需求激增的背景下，其高帶寬與可擴展容量特性優勢備受矚目。

HBF技術規範定義了兩種容量配置，分別採用8層和16層NAND芯片堆疊，最高支持512GB容量；並按三個等級（Grade 1~3）設定帶寬標準，數據傳輸能力覆蓋約0.4TB/s至3.0TB/s。HBF與處理器之間採用行業標準UCIe互聯，為HBF與GPU、CPU等不同類型的處理器靈活連接奠定了基礎。另外規範涵蓋互聯接口與電氣特性、HBF Die堆疊工藝的可靠性與封裝指南，以及數據讀寫軟件使用指南等內容。

這次的HBF技術規範規範由全球最大的開放式數據中心技術合作組織OCP（Open Compute Project）正式發佈，未來將成為行業通用開放標準，而非企業私有標準。