本月初，閃迪（SanDisk）與SK海力士（SK hynix）共同 發佈 了下一代存儲技術高帶寬閃存（HBF，High Bandwidth Flash）的首個標準規範。HBF是介於HBM和固態硬盤之間的新型存儲層級，不僅具備與HBM類似的高速數據傳輸能力，還可基於NAND閃存大幅提升容量。在AI推理普及、數據處理需求激增的背景下，其高帶寬與可擴展容量特性優勢備受矚目。

據TrendForce 報道 ，近日閃迪在投資者日上，提供了更多有關HBF的細節，表示首批樣品計劃在2027年推出，量產時間預計放在2028年。通過將HBM級別的讀取帶寬結合其8-16倍的容量，HBF有望解決AI的“存儲牆”問題。

閃迪的分析顯示，配備HBF的四塊GPU在運行大型AI模型時，輸出詞元的速度與八塊搭配HBM的GPU相當。這表明HBF不但緩解了存儲容量的限制問題，還減少了對額外GPU的需求，並最終降低AI推理基礎設施的成本。HBF作為一種新的存儲技術，主要是將NAND閃存疊加，而非取代DRAM的作用。雖然HBF提供了接近HBM的帶寬，容量更大且成本更低，但是延遲也會更高。

業界也認為，HBF不太可能完全取代HBM，不過可能會拆分AI計算架構。現在行業總體上抱着積極的態度，預計最終會打造一種混合存儲層級結構，成為大規模AI商業化的關鍵推動力。