DRAM和NAND閃存是人工智能（AI）數據中心的兩個主要組成部分，而且兩者存在一定互動關係，隨着DRAM需求增長，NAND閃存的需求也隨之增加。去年下半年一場前所未有的供應危機從DRAM開始展開，隨後NAND閃存也逐漸受到了影響。即便價格不斷走高，市場對存儲器的需求也沒有減弱。

據Wccftech 報道 ，近日羣聯電子（Phison）首席執行官潘健成接受了媒體的採訪，表示NAND閃存的產能短期內無法滿足需求，羣聯電子正在建立“戰略”庫存，確保未來兩年內向雲服務提供商和AI企業穩定供應企業級SSD，可市場需求如此之高，生產追上需求可能仍需數年。

潘健成稱，不少人認為存儲器製造商可以輕鬆建設和擴展新產能，但是實際上所需要的時間比大家普遍認為的還要長得多。在與NAND閃存供應商的交流中，詢問從投資到實際量產要花費多少時間，最初以為大概需要兩年，可是得到的答案是四年。

在這段時間裏，隨着需求持續增長，NAND閃存價格也會大幅上漲，考慮到未來可能無法獲得足夠的供應，羣聯電子不會大量銷售庫存，以免影響其“長期”合作伙伴關係。更為糟糕的是，即便雲服務提供商和AI企業調整DRAM規格，但是對NAND閃存的需求並沒有下降。

羣聯電子正通過“Phison 3.0”戰略調整其發展方向，將更加專注於AI存儲、邊緣AI和AI平台，不再依賴NAND閃存控制器和存儲模塊。