長江存儲近日宣佈了他們的128層堆疊3D閃存研發成功，並且準備在年底投產，但三星近日在股東大會上宣佈他們已經在開發第七代V-NAND閃存，堆疊層數多達160層。

圖片來源：三星官網

根據 etnews 的報道，三星已經在第七代V-NAND閃存的開發中取得了重大進展，並且已經加快了開發進程，三星此前一直在用單堆棧技術來生產3D閃存，而第七代V-NAND將會改用雙堆棧技術，以便製作更高層數的3D閃存，其實東芝與西數的BiCS 5閃存就是使用兩層56層的堆棧合在一起組成一個112層堆棧的芯片的。

目前閃存增加容量的方式已經不像CPU和GPU那樣依靠更精細的工藝來增大晶體管密度了，而是通過3D堆疊工藝來增加堆棧層數，堆棧數越多存儲密度就越大，進入到2020年，各個閃存廠家都準備推100層以上的3D閃存，三星現在的第六代V-NAND就是100+層，具體堆疊層數沒明説，東芝、西數的BiCS 5是112層的，而SK海力士最新的是128層，Intel和美光最新的也是128層，不過Intel已經在準備144層的3D閃存。

當然了不能光看層數來看3D閃存的存儲密度，因為閃存內部除了存儲層之外還有邏輯層，當中的佔比廠家們肯定不會説。