三星 宣佈 ，已開始量產採用EUV（極紫外）技術的14nm工藝製造DDR5 DRAM。在該工藝加持下，14nm EUV DDR5 DRAM擁有業界最高的晶圓密度，與上一代產品相比，生產率提高了約20%，功耗也降低了20%。三星表示，這款產品非常適合用在AI和5G工作負載裏，這些市場正在不斷增長當中。

三星在去年開始出貨業界首款採用EUV技術製造的DRAM，這次又將EUV層數增加到五層，通過當今最先進的DRAM工藝，以提供最好的DDR5解決方案。三星也是業界唯一通過應用EUV多層工藝，實現14nm DRAM差異化工藝技術的廠商。三星計劃通過EUV技術提高DRAM的性能和良品率，從而在14nm或以下DRAM競爭中獲得優勢。三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術主管Jooyoung Lee表示：

“在過去的30多年裏，三星在進行不斷的技術創新，克服半導體工藝上遇到的困難。目前通過EUV多層工藝技術，實現了14nm工藝的極致化，這是傳統氟化氬（ArF）工藝無法做到的。在這基礎上，三星充分滿足不同市場的需求，繼續提供差異化的內存解決方案。”

目前三星DDR5內存最高速率達到了7.2 Gbps，是DDR4內存（3.2 Gbps）的兩倍多，並且還在不斷提升中。未來三星會量產24Gb DRAM，以滿足大容量數據市場的需求。三星希望通過不同的技術手段，打造出一套DDR5內存產品線，適應不同的細分市場。