在上個月底SK海力士宣佈他們已經成功開發出HBM3 DRAM內存，而且他們把成品帶到了OCP峯會上展示，這HBM3的樣品被 ServeTheHome 拍下來了。

其實HBM3的規範是由JEDEC來負責的，而最終規範其實還沒公佈，SK海力士的HBM3內存可提供兩種容量，一個是12層硅通孔技術垂直堆疊的24GB，另一個則是8層堆疊的16GB，展示的樣品是12層的，內存頻率能達到6400Mbps，而單個堆棧所提供的帶寬可達819GB/s，比上一代的HBM2E內存461GB/s提升了許多。

與HBM2E相比HBM3不僅提供了更高的帶寬，還堆疊了更多層數的DRAM來增加容量，HBM3內存還內置了片上糾錯技術，顯著提高了產品的可靠性。

HBM不太可能在短期內在消費級市場取代傳統DRAM內存，因為它的價格實在是太貴了，但在高性能計算領域還是有很大作為的，預計HBM3將會主要被用在高性能數據中心以及機械學習平台上，以提高人工智能水平和超級計算機的性能，可用於氣候變化分析和藥物開發。