此前就有媒體報道，台積電（TSMC）將在2022年下半年量產N3製程節點，並計劃推出名為N3E的增強型3nm工藝，量產時間為2023年下半年。相比之下，三星在3nm製程節點引入了全新的GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，並在2022年上半年量產第一代3nm工藝。

台積電總裁魏哲家曾表示，N3製程節點仍使用FinFET晶體管的結構，是為客户提供最佳的技術成熟度、性能和成本。在台積電3nm工藝技術推出的時候，將成為業界最先進的PPA和晶體管技術，N3製程節點將成為台積電另一個大規模量產且持久的製程節點。N3E作為N3的擴展，將擁有更好的性能和功耗表現。

據TechTaiwan 報道 ，台積電近期已經在Fab 18中啟動了3nm芯片的試生產，按照時間表，第一批3nm芯片將會在2023年初出貨。台積電N3製程節點專為智能手機和高性能計算（HPC）芯片而設計，在N5製程節點上進一步應用極紫外光刻（EUV）技術，光罩層數將超過20層。台積電承諾N3工藝相比N5工藝，性能可提高10%-15%，或者降低25%-30%的功耗。

雖然早有傳聞英特爾和蘋果已率先獲得台積電N3製程節點的產能，前者會將該工藝使用在2023年發佈的Meteor Lake上，製造GPU模塊。據DigiTimes 報道 ，由於台積電第一批N3製程節點的產能不到6萬片晶圓，到2023年上半年，月產量將提高到4萬片晶圓以上，產能非常有限。近期蘋果和英特爾正在爭奪有限的N3製程節點產能，英特爾高層人員甚至親自到中國台灣與台積電管理層見面，希望進一步拉近關係爭取更多產能配額，並商談N2製程節點的合作。