在近日舉行的2021 IEEE國際電子器件會議（IEDM）上，英特爾 介紹 了在封裝、晶體管和量子物理學方面的關鍵技術，概述了其未來技術發展方向。IBM則與三星攜手， 推出 了下一代半導體芯片技術：垂直傳輸場效應晶體管（VTFET）。這項突破性的新技術允許晶體管垂直堆疊，與按比例縮放的FinFET相比，性能可實現翻倍，或將耗能降低85%。

一般情況下，晶體管是以水平方式構建，電流從一側橫向導向另一側。通過垂直傳輸場效應晶體管，實現了垂直構建並將晶體管分層，允許電流在晶體管中上下流動，擺脱了過去橫向佈局和電流導向的限制。技術人員通過放寬晶體管門長度、間隔厚度和觸點尺寸的物理限制，以解決縮放障礙，並在性能和功耗方面加以優化。利用VTFET技術，不但能縮小芯片的面積，還能提高能效或提供更強的性能。

IBM和三星藉助VTFET技術，向人們展示了CMOS半導體設計中，探索納米以外的縮放性能是可能的。VTFET技術解決了許多性能上的障礙和限制，擴展了摩爾定律，讓芯片設計人員可以在同樣的空間裏放置更多的晶體管，實現更大的飛躍。在今年 宣佈 製造出全球首款2nm製程節點的芯片後，IBM再次展示了在半導體方面的實力。

IBM與三星在過去的這段時間裏展開了密切的合作，自2014年將晶圓廠賣給GlobalFoundries後，IBM已沒有了屬於自己的晶圓廠，所以芯片量產方面交予了三星負責。IBM計劃今年在旗下Power Systems服務器中使用其首款商用7nm工藝處理器IBM Power 10，支持PCIe Gen5和DDR5內存，將由三星負責製造。此外，IBM在今年HotChips 33上公佈的Z系列處理器“ Telum ”，也將採用三星7nm工藝製造。