三星今日 公佈 了世界首款基於MRAM（非易失磁阻內存）的內存內計算，相關論文也由《Nature》在線 發表 ，同時會在即將出版的紙質版《Nature》雜誌上刊登。這篇名為《用於內存內計算的磁阻存儲器件的交叉陣列》的論文展示了三星在內存技術上的領先地位，以及在下一代人工智能（AI）芯片中合併存儲器和半導體系統所做的努力。

該研究是由三星高級技術研究院（SAIT）與三星電子代工業務和半導體研發中心一起展開，由SAIT研究員Seungchul Jung博士、SAIT研究員、哈佛大學教授Donhee Ham博士、以及SAIT技術副總裁Sang Joon Kim博士帶領的團隊進行。

在現代標準計算機架構中，數據存儲在內存芯片中，數據計算在處理器中進行。相比之下，內存計算是一種新的計算方式，旨在內存網絡中同時執行數據存儲和數據計算。由於該方案可以處理存儲在內存本身的大量數據，而無需將數據傳輸，而且內存中的數據處理會以高度並行的方式進行，將可以大大降低功耗。因此，內存計算已成為實現下一代低功耗人工智能半導體芯片最有前途的技術之一。

三星的研究人員通過架構創新提供瞭解決方案，成功開發了一種MRAM陣列芯片，應用了名為“電阻總和（resistance sum）”新型內存計算架構，解決了單個MRAM器件的小電阻問題。三星的研究團隊通過該MRAM芯片進行AI運算，並對其性能進行了測試，結果顯示在手寫數字分類方面的準確率達到了98%，而在場景中檢測人臉方面的準確率達到了93%。

三星認為，MRAM芯片未來還能作為下載生物神經元網絡的平台，因為其計算架構與大腦神經元網絡較為類似。