ISSCC 2022（IEEE 國際固態電路會議）將於2月24日舉行，不少廠商會選擇在這次大會上展示最新的半導體制造技術。其中SK海力士將 介紹 其最新的HBM3內存技術，帶寬達到了896 GB/s，同時還會有速率為27 Gbps的GDDR6。

SK海力士是對於HBM內存的研發一直非常積極，早在去年6月份就 展示 了第一款HBM3內存，提供了665 GB/s的帶寬。隨後在去年10月份，SK海力士已 宣佈 成功開發出了HBM3內存，成為全球首家開發出新一代HBM內存的公司。

SK海力士提供了兩種容量，一個是12層硅通孔技術垂直堆疊的24GB，另一個則是8層堆疊的16GB，前者的芯片高度也僅為30微米。這些HBM3內存可提供819 GB/s的帶寬，比上一代HBM2E的帶寬則是460GB/s，帶寬提高了78%。此外，HBM3內存還內置了片上糾錯技術，提高了產品的可靠性。

這次SK海力士帶來的HBM3內存仍然是採用12層硅通孔技術，最大容量也是24GB（196Gb），不過帶寬提高到了896 GB/s，據稱還使用了自動校準和機器學習優化技術。暫時還不清楚SK海力士的這些HBM3內存是處於原型階段，還是打算大規模批量生產。

此外，SK海力士還將展示速率為27 Gbps的GDDR6，採用了T-coil電路結構，以實現更高的傳輸速度，比三星最高的24 Gbps產品更快。其容量為2GB（16Gb），與三星的GDDR6，以及美光的GDDR6X相同。