ASML 宣佈 與英特爾的長期合作進入了新的階段，雙方將攜手推進半導體光刻前沿技術。目前英特爾已經向ASML發出第一份採購訂單，用於購買業界首個TWINSCAN EXE:5200系統。這是一種具有高數值孔徑（High-NA）和每小時生產超過200片晶圓的極紫外光（EUV）大批量生產系統，為雙方長期的High-NA EUV技術合作搭建框架。

ASML總裁兼首席技術官Martin van den表示，英特爾對ASML在High-NA EUV技術的遠見和早期承諾證明了對摩爾定律的不懈追求。與目前的EUV系統相比，ASML的擴展EUV路線圖以更低的成本、時間週期和架構等方面提供了持續的改進，這將推動芯片行業未來十年發展的動力所在。

在去年七月份的“ 英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發佈會 ”上，英特爾CEO帕特-基爾辛格（Pat Gelsinger）展示了一系列底層技術創新，這些技術將驅動英特爾到2025年乃至更遠未來的新產品開發。英特爾公佈其近十多年來首個全新晶體管架構RibbonFET和業界首個全新的背面電能傳輸網絡PowerVia之外，還重點介紹了迅速採用下一代極紫外光刻（EUV）技術的計劃，表示將部署業界第一台High-NA EUV光刻機。

英特爾在2018年率先購買了早期的TWINSCAN EXE:5000系統，這次合作將延續英特爾從2025年使用High-NA EUV進行生產製造的道路。新的EUV系統將提供0.55數值孔徑，與此前配備0.33數值孔徑透鏡的EUV系統相比，精度會有所提高，可以實現更高分辨率的圖案化，以實現更小的晶體管特徵。