在大概一年前，三星 推出 了“會思考”的HBM2內存，集成的AI處理器最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力，使內存芯片本身可以執行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。三星在Hot Chips 33上 表示 ，未來會將PIM (processing-in-memory) 技術擴展到DDR4、DDR5、LPDDR5X、GDDR6和HBM3內存上。

韓國另一間DRAM大廠SK海力士今天 宣佈 ，已開發出具備計算功能的下一代內存半導體技術，首款基於該技術的產品為GDDR6-AiM（Accelerator-in-Memory/內存加速器），將計算功能添加到速率為16 Gbps的GDDR6上。在2月24日舉行的ISSCC 2022（IEEE 國際固態電路會議）上，SK海力士將公開PIM芯片技術的開發成果。

與一般GDDR6標準工作電壓（1.35V）相比，GDDR6-AiM的工作電壓降低至1.25V，加上與CPU和GPU數據傳輸的減少，功耗降低了80%，從而可以減少設備的碳排放，改善ESG表現。SK海力士表示，與傳統DRAM相比，將GDDR6-AiM與CPU、GPU相結合的系統可在特定計算環境中將演算速度提高至最高16倍，新產品有望在機器學習、高性能計算、大數據計算和存儲等領域有廣泛應用。

SK海力士相信未來存儲半導體可以在智能手機等ICT產品中發揮更為核心的作用，甚至實現“存儲器中心計算（Memory Centric Computing）”。接下來，SK海力士計劃與SAPEON Inc.合作，推出與人工智能半導體相結合的全新技術。

無論三星還是SK海力士，看起來都將PIM技術視為未來存儲半導體發展的關鍵。前者似乎優先選擇在數據中心方面切入，目前已經有廠商使用了加入PIM技術的AXDIMM內存在服務器上進行測試，而後者更在意與AI技術和ITC產品之間的結合。