本週將舉行ISSCC 2022（IEEE 國際固態電路會議），AMD將在會議上分享其3D V-Cache設計的更多細節。AMD此前已經在CES 2022上，推出了採用3D垂直緩存技術的Zen 3架構桌面處理器，即Ryzen 7 5800X3D，為每個CCD帶來額外的64MB 7nm SRAM緩存，使L3緩存容量由32MB增加到了96MB。

據Hardwareluxx.de 報道 ，3D V-Cache由多個8MB的“slices”組成，這些“slices”具有1024個與單個CPU內核接觸的接口，CCX和3D V-Cache之間共有8192個連接點，允許每片“slices”在全雙工模式下傳輸帶寬達到了2TB/s。儘管沒有集成在CCX上，但很可能與本身L3緩存的速度一致。據稱AMD還通過多種方式改進了Ryzen 7 5800X3D的設計，以降低功耗並提高頻率。AMD至今沒有確認Ryzen 7 5800X3D什麼時候上市，不過在Zen 4架構的Ryzen 7000系列到來之前，這是為數不多與英特爾Alder Lake對抗的手段之一。

根據AMD演示文檔的內容，顯示3D V-Cache的SRAM採用了台積電N7工藝製造，整體尺寸為41平方毫米，通過兩個額外的CCD結構支撐以協助散熱。為了能裝入相同的封裝中，AMD還將原有的CCD削薄。為了讓處理器的每個內核與3D V-Cache通信，AMD在L3級別上實現了共享環形總線設計，整個L3緩存可用於每個內核。

去年AMD曾 介紹 ，這項3D芯片堆疊技術是基於台積電的SoIC技術，將兩個芯片被銑成一個完美的平面，底層CCX與頂層L3緩存之間是一個完美的對齊，TSV通道可以在沒有任何類型的粘合材料的情況下進行匹配。為了實現這個操作，AMD並將CCX翻轉（由面向頂部改為面向底部），然後削去了頂部95%的硅，再將3D垂直緩存芯片安裝在上面。