過去曾有 報道 指，華為可能進軍晶圓製造業務，有意與合作伙伴、上海的IC研發企業一起進入芯片生產行業，不過後來漸漸沒有了消息。近期有新消息指，華為有一項新計劃，將尋求自行封裝NAND閃存，提高半導體供應鏈自主化程度。

據The Elec 報道 ，華為計劃接收NAND閃存後，自行進行封裝和測試工作，目前正在安裝必要的設備，最早可能在今年下半年投入使用。華為此舉反映了，為加強自身半導體供應鏈所做的努力。

長江存儲X2-6070 128層 QLC 1.33Tb 3D NAND

據瞭解，華為正在從長江存儲採購NAND閃存。據行業數據分析公司Omdia的數據，長江存儲在2020年的時候，市場份額為1%，不過截至去年第三季度，市場份額已提升至2.5%。長江存儲去年 宣佈 128層堆疊的3D NAND閃存研發成功，投入生產後呈現了增長的態勢。

長江存儲的128層堆疊產品採用的Xtacking架構已經全面升級至2.0，可進一步釋放3D閃存的潛能，其基於電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲技術，可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps的數據傳輸速率。目前長江存儲的Xtacking 2.0架構用於製造128層堆疊的512Gb 3D TLC NAND閃存芯片，以及128層堆疊的3D QLC NAND閃存芯片。