HBM DRAM擁有超高的數據帶寬，是計算密集型芯片的不二之選。我們也看到這種類型的DRAM在各種計算卡、AI加速器等領域中有着越來越廣泛的應用，這也推動着它繼續升級迭代。去年三星和 SK海力士 都宣佈自己開發出了HBM2內存的小幅升級版本，即HBM2E內存，今天SK海力士終於正式 宣佈 他們開始量產HBM2E內存了。

SK海力士的HBM2E內存具有3.6Gbps的等效頻率，配合上1024-bit的位寬，它能夠實現超過460GB/s（3.6Gbps x 1024-bit / 8 = 460.8GB/s）的傳輸帶寬。三星目前的HBM2E默認跑在3.2Gbps的等效頻率下，所以SK海力士的HBM2E在默認情況下能夠提供更高的帶寬，不過三星的HBM2E還可以跑更高的頻率。如果像是NVIDIA A100加速卡那樣使用六個堆疊的話，那麼這組HBM2E內存能夠提供高達2.7TB/s的帶寬。SK海力士的HBM2E每組堆疊可達到16GB的容量，每顆DRAM芯片的容量較HBM2時代翻倍，為16Gb（2GB）。

對於市場來説，現在有第二家能夠提供HBM2E內存的廠商了，有競爭才有降價，HBM內存本來就很貴了，現在也只有專業領域能用的起它。此前只有三星一家能夠提供HBM2E內存，而HBM2時代是有兩家。美光也已經 計劃進入HBM2的市場 ，稱將在年內發售他們的HBM2內存。未來在專業領域中，HBM會起到越來越大的作用，它的高帶寬特性在熱門的AI加速器、深度學習等領域中是不可或缺的。