大概一個月前，有 報道 指出，在N3基礎上擴展的N3E已提前準備好。由於N3E測試生產的時候良品率較高，台積電（TSMC）電希望能更早地實現商業化，量產時間可能由原來的2023年下半年提前到2023年第二季度。據稱，N3E的工藝流程已經在3月底確定。此外，台積電在該製程節點還有一款稱為N3B的工藝。

近日有消息 指出 ，經過一年多的努力，台積電近期在3nm工藝開發方面取得了重大突破，決定在今年8月份率先將N3B投片，以FinFET晶體管對決三星的3nm上引入的GAAFET全環繞柵極晶體管。據悉，N3B是台積電第二版3nm製程，而N3E則是第三版3nm製程。

由於N3E的良品率快速拉昇，N3E在明年正式投產後會加速放量，毫無疑問蘋果將是第一個客户，該工藝用於新一代的處理器上。在蘋果之後，英特爾和高通也會跟上。台積電3nm芯片將由Fab12和Fab18兩間晶圓廠生產，前者主要負責英特爾代工訂單，每月產能大概是1到2萬片晶圓，後者主要生產蘋果新款平板電腦和MacBook系列使用的新款處理器，每月產能大概是1.5萬片晶圓。據悉，明年更具經濟效益的N3E投產後，每月產能將從2.5萬片提高到5萬片晶圓。

據瞭解，N3E在N3基礎上減少了EUV光罩層數，從25層減少到21層，邏輯密度低了8%，但仍然比N5製程節點要高出60%。N3E的良品率也高於N3B，不過後者的信息較少。有參與台積電供應鏈的半導體從業人員表示，台積電的2nm製程將是其祕密武器，在3nm製程經歷了諸多考驗突破瓶頸以後，讓台積電的研發團隊信心倍增，很可能會加速2nm工藝的開發進度。