此前美光 公佈 了其NAND閃存計劃，表示將推出業界首款232層的3D TLC NAND閃存，並準備在在2022年年末開始生產該款閃存芯片，將用在包括固態硬盤在內的各種產品上。近日，另一間存儲大廠西部數據也公佈了自己的NAND閃存計劃。

據TechPowerup 報道 ，西部數據正在與鎧俠（Kioxia）合作，雙方合作開發的第六代162層BiCS Flash將會在今年量產。目前其他廠商已經推進到176層，不過西部數據的162層BiCS Flash可以提供相同的容量。西部數據表示，其閃存芯片的尺寸比競爭對手更小，這是一個優勢，意味着每片晶圓能夠製造更多的芯片。

據西部數據的介紹，第六代BiCS Flash可以實現單片晶圓提供100TB容量，相比2020年時候的70TB有所增加。西部數據與鎧俠計劃在2024年將稱之為BiCS+的堆疊層數提高到200層以上，到2032年將出現500層堆疊的NAND閃存。第一款採用BiCS+閃存將用於數據中心產品，將比目前的第六代162層BiCS Flash的傳輸速度提高60%，每片晶圓的容量也將提高55%。

事實上，西部數據和鎧俠在去年年初，就已 宣佈 合作開發了第六代162層BiCS Flash。按照當時鎧俠的説法，與第五代技術相比，第六代技術的橫向單元陣列密度提高了10%，結合162層堆疊式垂直存儲器，與112層堆疊技術相比，可將芯片尺寸縮小40%。通過採用陣列CMOS電路佈局和四路同時操作，與上一代產品相比，性能提高了近2.4倍，讀取延遲上提高了10％。I/O性能也提高了66％。