SK海力士早就在6月份就宣佈正式量產128層堆疊的4D NAND閃存，成為全球首家量產128層閃存的廠家，不過海力士的這個4D NAND本質上其實也是3D NAND，它是把NAND閃存Cell單元的PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND閃存，本質上其實還是3D NAND，4D NAND閃存有很強的商業營銷味道。

現在SK海力士宣佈在這個月正式向客户交付128層4D NAND的工程樣品，全部都是TB級的高密度解決方案，包括手機所用的1TB UFS 3.1閃存，消費級的2TB SSD和企業級的16TB E1.L規格SSD，SK海力士的128層4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是業內存儲密度最高的TLC閃存。

現在1T存儲空間的手機需要使用兩顆512GB的UFS閃存，在SK海力士的1TB UFS 3.1閃存出貨後閃存用量就能減少一半，節約更多的手機主板空間，而這顆1TB的閃存封裝厚度僅1mm，是未來超薄5G手機的絕佳選擇，預計搭配這款閃存的手機有望在明年下半年量產，而搭載128層堆疊4D NAND的2TB消費級SSD和16TB的E1.L規格的企業級SSD也預計會在明年下半年量產。