NAND閃存製造商一直嘗試增加每個單元存儲的位數來提高存儲密度，從成本角度出發，這是一種非常具有價值的方法。Kioxia（鎧俠）在這方面一直非常積極，早在2019年就開始討論五級單元的PLC 3D NAND閃存，去年還曾展示六級單元的HLC 3D NAND閃存。

據PC Watch 報道 ，鎧俠表示目前正在開發七級單元的3D NAND閃存，暫時只能在實驗室的低温條件下實現，並在今年的IMW 2022會議上介紹了相關的研究成果。目前七級單元的3D NAND閃存還沒有正式的名字，反倒是去年展望3D NAND閃存發展的時候，確定八級單元的名字叫OLC。目前鎧俠將芯片浸入在液氮（温度77K / 零下196攝氏度）環境中，讓使用的材料變得更加穩定，同時可以降低電壓的要求。

找到合適的材料和結構只是挑戰超高密度NAND閃存的一部分，研究人員還要開發必要的主控芯片，以控制128級的電壓變化。目前市場上常見的四級單元的QLC 3D NAND閃存，電壓變化也就16級，顯然七級單元的3D NAND閃存的難度要大得多。自2000年二級單元的MLC 3D NAND閃存出現以來，主控芯片變得越來越複雜，開發和製造成本也越來越高。即便閃存芯片的價格下降了，主控芯片的價格上漲也會抹掉成本優勢。

鎧俠的合作伙伴西部數據認為，從QLC過渡到PLC的過程會比較慢，至少到2025年以後，市場上才會出現搭載PLC 3D NAND閃存的產品，顯然六/七級單元的3D NAND閃存距離消費者更加遙遠。