英特爾在去年7月份的英特爾加速創新：製程工藝和封裝技術線上發佈會”上， 公佈 了最新的工藝路線圖，其中Intel 4製程節點（之前的7nm SuperFin）會被包括Ponte Vecchio、客户端的Meteor Lake和數據中心的Granite Rapids在內的多款產品所使用。英特爾在該製程節點將採用EUV光刻技術，可使用超短波長的光，每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進，可應用下一代Foveros和EMIB封裝技術。

據DigiTimes 報道 ，有英特爾方面的消息人士稱，Intel 4製程節點有望在2022年下半年量產。事實上，在大約一個月前的IEEE VLSI研討會中，英特爾對下一個製程節點的進度表示樂觀，稱芯片在相同功耗下運行速度能提高20%以上，或者相同頻率下功耗降低約40%。據瞭解，相比現有的Intel 7製程節點（之前的10nm Enhanced SuperFin），Intel 4可提供翻倍的晶體管密度。

近年來，英特爾在工藝進度上經常不達預期，即便是現在已大量用於Alder Lake的Intel 7，到了服務器使用的Sapphire Rapids依然遇到問題，導致相關產品出現延遲。按照英特爾的説法，需要在四年內跨越五個製程節點，2025年要達到Intel 18A，壓力非常大。

除了受益於Intel 4製程節點，英特爾還將在面向消費市場的Meteor Lake上首次採用了模塊化設計，以便搭配不同製程節點的模塊進行堆疊，再使用EMIB技術互聯，通過Foveros封裝技術。據稱，Meteor Lake還將採用台積電（TSMC）N3工藝製造的模塊。