美光 宣佈 ，已開始量產全球首款232層的3D TLC NAND閃存，採用領先行業的創新技術，為存儲解決方案帶來了前所未有的性能。與過往美光的NAND閃存芯粒相比，232層的NAND閃存有着業界最高的密度，並提供了更大的容量和更高的能效，從而為客户端到雲端等數據密集型用例提供一流的支持。

美光的技術和產品執行副總裁Scott DeBoer表示，232層的NAND閃存是存儲創新的分水嶺，首次證明了生產中將NAND閃存擴展到200層以上的能力，該項突破性的技術需要廣泛的創新，包括創建高縱橫比結構的先進工藝能力、新型材料的進步以及基於176層NAND閃存在設計上的改進。

這款232層NAND閃存引入了業界最快的I/O速度，達到了2.4 GB/s，比176層的NAND閃存高出50%，同時寫入帶寬提升100%，讀取帶寬提升75%。同時還是全球首款量產的六平面TLC NAND閃存，不但比其他同類TLC NAND閃存有着更多的平面，而且每個平面都具有獨立的讀取能力。高I/O速度、低讀寫延遲和六平面架構相結合，使其能夠提供一流的數據傳輸速度。

此外，美光的232層NAND閃存是首款支持NV-LPDDR4的產品，這是一種低壓接口，與之前的I/O接口相比，每比特傳輸節省30%以上能耗。232層NAND閃存的緊湊外形為產品的設計提供了更多的靈活性，其每平方毫米TLC密度為14.6 Gb/mm²，比其他同類產品提高了35%到100%。另外，232層NAND閃存採用新的11.5 x 13.5 mm封裝，尺寸比前幾代產品減小了28%，使其成為市面上最小的高密度NAND閃存，能最大限度地減少電路板空間。

美光表示，232層3D TLC NAND閃存已經在其位於新加坡的工廠開始批量生產，首批芯粒將用於英睿達（Crucial）的消費端SSD，隨後再供應給其他產品使用。