這個月初，SK海力士 宣佈 成功研發全球首款業界最高層數的238層NAND閃存，已向合作伙伴發送了238層512Gb TLC 4D NAND閃存的樣品，並計劃在2023年上半年正式投入量產。

據Business Korea 報道 ，三星已經完成了採用第八代V-NAND技術產品的開發，將採用236層3D NAND閃存芯片，預計會在今年內實現批量生產。此外，三星還計劃在本月開設一個新的研發中心，將負責開發更先進的NAND閃存產品。

在NAND閃存市場裏，三星的市場份額是最高的，到達了35%。不過目前三星的NAND閃存還停留在176層，採用的是第七代V-NAND技術，層數不但低於SK海力士，也落後於美光，這迫使三星加快了新型NAND閃存的開發步伐，以保證競爭優勢。

今年5月份，美光 宣佈 推出232層的3D TLC NAND閃存，並準備在2022年末開始生產，計劃用在包括固態硬盤在內的各種產品上。該款芯片採用了CuA架構，使用了NAND的字符串堆疊技術，初始容量為1Tb（128GB）。美光表示，CuA架構疊加新技術可以大大減小1Tb 3D TLC NAND閃存的芯片尺寸，這有助於降低成本。

此前三星曾表示，將按計劃推進600層以上3D NAND閃存的研發，未來層數可能會超過1000層。同時會根據市場需求決定什麼時候開始批量生產，一般12至18個月會進行更新。參照這樣的時間表，搭載238層NAND閃存的存儲設備大概率能在今年內看到。