上個月，三星在京畿道華城工廠V1生產線， 舉行 了採用下一代GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術的3nm代工產品發貨儀式。台積電（TSMC）作為第一大晶圓代工廠，其3nm工藝的生產也提上了日程。

據ctee 報道 ，台積電3nm工藝在完成技術研發和試產以後，今年第三季度下旬的產能將大幅度攀升，預期9月份將正式進入量產階段，相比此前傳聞的8月份稍晚了一些。據稱，從試產階段的情況來看，N3製程的初期良品率比之前N5製程的初期良品率還要好。雖然近期有 報道 稱，英特爾將推遲Meteor Lake的發佈，會讓台積電減緩3nm產能的擴張計劃，不過暫時似乎沒有太大的影響。

如果將N3和N5初期工藝做比較，前者預計會帶來10%到15%的性能提升（相同功耗和複雜程度），或者降低25%-30%的功耗（相同頻率和晶體管數量），同時會將邏輯密度提高約1.6倍。據瞭解，明年的N3E在N3基礎上減少了EUV光罩層數，從25層減少到21層，雖然邏輯密度低了8%，但仍然比N5製程節點要高出60%。

台積電從2022年到2025年，將陸續推出N3、N3E、N3P、N3X等製程，後續還會有優化後的N3S製程，可涵蓋智能手機、物聯網、車用芯片、HPC等不同平台的使用需求。台積電在N3製程節點仍使用FinFET（鰭式場效應晶體管），不過可以 使用 FINFLEX技術，擴展了工藝的性能、功率和密度範圍，允許芯片設計人員使用相同的設計工具集為同一芯片上的每個關鍵功能塊選擇最佳選項，進一步提升PPA（功率、性能、面積）。

台積電總裁魏哲家在近期的法人説明會上表示，目前N3製程的進度符合預期，2022年下半年量產後也具備不錯的良品率，在HPC和智能手機的驅動下，到2023年將會有穩定的輸出，並在2023年上半年開始為台積電的營收做出貢獻。