三星建立新的半導體研發中心,以擴大先進半導體技術的領導地位

三星 宣佈 ,將在京畿道器興園區建立新的半導體研發中心,旨在擴大其在先進半導體技術方面的領導地位。包括三星電子副會長李在鎔在內的眾多高層管理人員,共100多名三星的員工,出席了新半導體研發中心的奠基儀式。

三星計劃到2028年,在器興園區109000平方米的區域內投資約20萬億韓元(約合人民幣1020億元),主要負責內存、系統半導體、以及半導體工藝的研究,以及基於長期路線圖的創新技術開發工作。三星電子聯席CEO兼設備解決方案部門負責人慶桂顯表示:

“我們新的研發綜合體將成為最先進的創新中心,來自世界各地的最優秀的研究人員可以在這裏共同成長。以此為起點,預計會為我們半導體業務的可持續增長奠定基礎。”

器興園區位於首爾的南部,與目前GAA 3nm生產線所在的華城園區相近,1992年在這裏誕生了世界第一個64Mb DRAM,標誌着三星在半導體行業領導地位的開始。附近還有三星的平澤廠區,那裏是世界上最大的半導體工廠羣,三星希望可以提升三個主要半導體綜合體之間的協同作用。

李在鎔隨後參觀了華城園區,並與設備解決方案部門的員工會面,討論了在公司內部促進創新的方法。此外,李在鎔還與設備解決方案部門的高層舉行了會議,討論了全球半導體行業的當前問題、下一代半導體技術研發的進展、以及如何確保以技術擴大半導體領導地位等議題。