三星在去年三月 推出 了業界首款單條容量512GB的DDR5內存，採用了High-K Metal Gate（HKMG）的DDR5內存顆粒，以降低漏電率。其利用TSV硅穿孔技術實現8層堆疊，以確保低功耗和高質量的信號傳輸，單顆DRAM芯片容量為16Gb。

據TechInsights 報道 ，目前已經在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內存中發現了三星HKMG DDR5內存顆粒，未來採用HKMG技術的內存很可能成為新的行業標準。除了DDR5以外，三星也應用在GDDR6上，實現了商業化。

據The Elec 報道 ，近期三星位於韓國平澤園區的P3生產線已投入運營，將大規模生產NAND閃存芯片。這是三星迄今為止最大的半導體生產設施，於2020年末開始建設，配備了EUV（極紫外光刻技術）光刻設備，旨在為三星的代工服務製造NAND閃存、DRAM和邏輯芯片。與此同時，三星已開始準備建設新的P4生產線。

三星半導體業務負責人慶桂顯（Kyung Kye-hyun）表示，未來會繼續投資半導體生產設施，而且不會依賴於半導體市場條件，新的生產線能降低10%的成本，這將降低產品銷售的價格。此外，慶桂顯坦承三星SoC開發團隊的規模僅為競爭對手的三分之一，因此將專注於做好自己力所能及的事情。