近日，三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上， 公佈 了未來的技術路線圖。三星表示，將會在2025年開始大規模量產2nm工藝，更為先進的1.4nm工藝預計會在2027年量產，同時還會加速2.5D/3D異構集成封裝技術的開發，為代工服務提供整體系統解決方案，預計2024年將提供名為X-Cube的3D封裝解決方案。

三星表示到2027年，HPC、汽車和5G芯片的比例將超過50%，計劃瞄準高性能和低功耗的半導體市場，並將先進製程節點的產能擴大三倍以上。三星將增強其基於GAA的3nm工藝，用於HPC和移動設備的芯片；目前三星為汽車級芯片提供28nm eNVM解決方案，計劃2024年將推進到14nm eNVM解決方案，未來還會有8nm eNVM解決方案；射頻芯片方面，繼14nm工藝後，會有8nm工藝，5nm工藝也在開發當中。

在DRAM領域，三星 宣佈 其最新的第五代10nm級（1b）芯片將在2023年之前開始批量出貨，並對10nm以下級別的DRAM製造進行探索性研究，這需要新的設計和材料。三星在這方面領先於大多數競爭對手，目前一般在14nm製程節點上製造DRAM芯片。此外，三星開發當中的GDDR7將會是未來GPU的助推器，其速率達到了36 Gbps，在現有18 Gbps的GDDR6基礎上翻倍。

三星還在進行第九代和第十代V-NAND技術的開發工作，計劃今年末發佈基於第八代230層V-NAND芯片，512Gb芯片的存儲密度將增加42%，預計到2030年將實現1000層的V-NAND芯片。三星還致力於QLC方面的研究，希望能進一步提高性能，同時增加存儲位密度。