美光宣佈，已經向特定的智能手機製造商和芯片組合作伙伴運送其1β（1-beta）工藝節點生產的DRAM芯片樣品。這是世界上最先進的DRAM技術，已做好了批量生產的準備。

美光表示，將在LPDDR5X內存上採用新的工藝技術，提供最高的8.5 Gbps速率。1β工藝節點在性能、位密度和電源效率方面提供了顯著的收益，而且還能降低DRAM成本，將帶來廣泛的市場優勢。除了移動設備外，1β工藝節點還將提供低延遲、低功耗、高性能的DRAM，從智能車輛到數據中心的應用場景中都會受益。

在過去數年裏，美光積極推進其製造和研發技術。去年美光開始使用1α工藝節點批量生產DRAM芯片，加上今年 量產 全球首款232層的3D TLC NAND閃存，讓其歷史上首次確立了在DRAM和NAND領域的領導地位，而這次推出的1β工藝節點將進一步鞏固了其市場優勢。

與行業內很多企業不同，美光不打算在短期內使用極紫外（EUV）光刻技術來生產存儲芯片，而是繼續使用深紫外（DUV）光刻技術，同時在1β工藝節點上使用了其第二代HKMG技術，美光稱，新工藝節點的能效提高約15%，位密度提高了35%以上，每顆芯片提供16Gb容量。

美光計劃繼續投資數十億美元，將晶圓廠轉變為技術領先、高度自動化、可持續發展、以及人工智能驅動的設施，其中包括對日本廣島工廠的投資。據瞭解，這間工廠將採用1β工藝節點批量生產DRAM。