SK海力士 宣佈 ，已成功開發出全球首款集成HKMG工藝的LPDDR5X內存，採用1αnm工藝製造，最近剛剛推向市場。SK海力士表示，相比上一代產品，該款LPDDR5X降低了25%的功耗，並在JEDEC設定的1.01V至1.12V超低電壓範圍內運行。

相比於常規的DRAM，低功耗是LPDDR5X最有競爭力的特性之一，這是由於移動設備功率有限，因此有必要儘可能地延長使用的時間，這就是降低功耗與提高運行速度同樣重要的原因。SK海力士利用HKMG工藝，既提高了性能，又降低了功耗，可謂是一石二鳥，實現了積極的擴展和高效率。

隨着低功耗LPDDR5X的引入，移動設備充電一次就可以使用更長的時間了。同時這次SK海力士的LPDDR5X數據傳輸速率提高到了8533 MT/s，比前代產品快了33%，以提高包括5G通信性能、汽車高分辨率增強現實/虛擬現實和使用AI的邊緣計算等應用場景的內存性能。

近年來，SK海力士在移動DRAM上緊跟市場趨勢，研發投入相當大。去年SK海力士就量產了18GB的LPDDR5，這也是目前業界同類產品中最大的容量。隨着這次集成HKMG工藝的LPDDR5X的推出，以更少的電力消耗提供了更快的速度，SK海力士進一步鞏固了其在內存半導體領域的領導地位。