台積電昨天的年度技術研討會上除了宣佈了今後N5、N4、N3等重要工藝節點情況信息之外，還公佈了N12e工藝，這是目前12nm FinFET緊湊型工藝的增強版，但並不是給那些原來用12nm的高性能產品升級所準備的，而是針對IOT物聯網設備而準備的一個工藝節點。

N12e的Logo是綠色的，e上面也有環保的葉子標識，可以看得出這個工藝其實是主打節能的，它在12nm FinFET緊湊型工藝的基礎上結合了Ultra-Low Leakage超低漏電技術，它是用來取代原來的22nm ULL工藝。

與22nm ULL相比N12e：邏輯密度提高了76%，這就允許進行更小巧，更經濟高效的設計，或者在相同的面積內封裝更多的晶體管，以添加計算內核和緩存；在同樣功耗下頻率提升49%，在同樣頻率下功耗下降55%，SRAM漏電流降低超過50%，並且支持低Vdd設計，最低支持0.4V的邏輯電壓，這可降低主動功耗與漏電功耗支持電池供電產品延長電池壽命，這對於任何採用電池供電的微型設備來説尤其重要。

台積電的N12e工藝是針對5G處理器、Modem、無線耳機、智能手錶、VR、可穿戴設備、入門級SoC等應用場景的，N12e能提供更高效能、更佳功率與更低漏電的要求，在各種產品特性要求之間提供最佳的平衡。