SK海力士 宣佈 ，已成功開發出目前速度最快的移動DRAM：LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）。SK海力士在去年11月，推出了全球首款集成HKMG（High-K Metal Gate）工藝的LPDDR5X內存，採用1αnm（第四代10nm級別）工藝製造，而這次的LPDDR5T是在此基礎上進一步的性能提升。

LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC設定的1.01V至1.12V超低電壓範圍內運行，同樣集成了HKMG工藝，並計劃採用1αnm工藝製造，以實現最佳的性能。相比於之前的LPDDR5X內存，LPDDR5T的速度提高了13%，達到了9.6 Gbps。為了強調其高速特性，所以命名的時候在規格名稱最後加上了“T”作為後綴。

SK海力士計劃近期向客户提供LPDDR5T內存樣板，為16GB容量的封裝，數據處理速度為77GB/s，最終在下半年推進產品的量產。在SK海力士看來，在推出8.5 Gbps的LPDDR5內存後，僅相隔兩個月就再次突破技術侷限，為客户提供多種容量的所需產品，可進一步鞏固其DRAM市場領導地位。

SK海力士相信在下一代LPDDR6問世之前，大幅度拉開技術差距的LPDDR5T內存可以主導市場，能夠滿足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存儲器的需求增長。LPDDR5T內存的應用範圍不僅限於智能手機，還能擴展到人工智能（AI）、機器學習（ML）、以及增強/虛擬現實（AR/VR）。