三星在2021年高調地進行半導體擴張計劃，表示未來十年將投資1515億美元用於晶圓廠的建設，並在去年量產的3nm製程節點率先引入了全新的GAAFET全環繞柵極晶體管工藝。三星希望通過提升產能，加快工藝技術的研發，拉近與領頭羊台積電（TSMC）之間的距離。

據The Elec 報道 ，三星的晶圓代工部門（Samsung Foundry）正在建立一個系統，允許主要合作伙伴擁有其IP的銷售和維護權。三星過往有做過類似的事情，不過這次有所不同的是，為其IP製作的是一箇中間人分發系統。這種做法與台積電的運作方式非常相似，以IP聯盟的形式經營。

圖：三星在韓國京畿道華城市建設中的Fab

台積電的目標是培養合作伙伴，以實現長期的共同增長，而且這一戰略似乎非常奏效，因為其IP數量是三星的三倍多，超過了30000個，而三星約有10000個，雙方差距不小。那些設計芯片但沒有製造設施的IC設計公司都熱衷於使用其代工合作伙伴現有的IP，因為會提高製造的效率。

有消息人士透露，三星複製台積電的模式始於兩年前，這一戰略意味着三星可以專注於晶圓代工業務，同時不與其他芯片IP公司進行競爭。三星打算將其IP進行分組，並將權利授予了不同的公司：在互聯領域，Qualitas Semiconductor為擁有者；在內存領域，合作伙伴是Openedge Technology；在模擬芯片方面，是TechwidU。