鎧俠（Kioxia）和西部數據 宣佈 ，推出218層3D NAND閃存。其採用了先進的縮放和晶圓鍵合技術，以極具吸引力的成本提供了卓越的容量、性能和可靠性，非常適合滿足廣泛細分市場中數據呈指數級增長的存儲需求。

鎧俠和西部數據通過引入幾個獨特的工藝和架構來降低成本，實現了持續的橫向擴展。這次在垂直和橫向擴展之間取得了平衡，可以在更小的芯片中生產出更大的容量，而且層數更少，成本也得到了優化。雙方開發了開創性的CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓都是在其最優狀態下單獨製造的，然後粘合在一起，以提供增強的位密度和快速的NAND I/O接口速度。

據瞭解，218層3D NAND閃存是利用了1Tb三層單元（TLC）和四層單元（QLC）的四個平面，通過創新的橫向收縮技術，將位密度提高了50%以上。其NAND I/O接口速度超過了3.2Gb/s，比上一代產品提高了60%，再加上寫入性能和讀取延遲有着20%的提升幅度，將加速用户的整體性能和可用性。

鎧俠首席技術官Masaki Momodomi表示，很高興通過與西部數據獨特的工程合作，成功地推出了具有業界最高1位密度的第八代BiCS FLASH，目前已開始向部分客户提供樣品，未來將用於一系列以數據為中心的應用，包括智能手機、物聯網設備和數據中心。