目前全球每天產生的數據量是非常龐大的，預計到2025年將達到175ZB。大量的數據唄存儲在大容量的服務器和數據中心裏，使用的是HDD和SSD，不過SSD在讀/寫速度、能耗和設備尺寸上都優於HDD，使得SSD正逐步取代HDD。SSD單位成本的擴展歸功於三維方向上將存儲單元堆疊更多的層數，同時一個存儲單元裏存儲更多的比特數。

鎧俠（Kioxia） 宣佈 ，成功演示了世界首個七級單元的3D NAND閃存。目前大規模生產的3D NAND閃存最多是四級單元，也就是大家熟悉的QLC 3D NAND閃存，這意味着新款3D NAND閃存幾乎實現了容量上的翻倍。

早在兩年前，鎧俠就 演示 過低温狀態下運行的六級單元HLC 3D NAND閃存。這一次鎧俠將低温環境與新的硅工藝技術相結合，又向前邁進了一步。在七級單元的3D NAND閃存裏，傳統上存儲單元晶體管通道使用的多晶硅被單晶硅所取代，在讀取操作中，最多可減少三分之二的NAND閃存讀取噪聲量，併產生更為清晰的讀取信號。

鎧俠表示，新的存儲架構將大大降低生產成本上，甚至提出了一種將七級單元3D NAND閃存與低温冷卻相結合的解決方案，這比現在市場上採用風冷或被動散熱的SSD更為便宜。鎧俠還會繼續開發低温存儲器技術，以實現最低的單位成本，並在未來通過硅技術實現連續的單位成本縮放。

七級單元的3D NAND閃存並不是盡頭，鎧俠過去就曾展望過八級單元的OLC 3D NAND閃存。