去年台積電（TSMC）總裁魏哲家 證實 ，N2製程節點將如預期那樣使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，製造的過程仍依賴於現有的極紫外（EUV）光刻技術，預計2024年末將做好風險生產的準備，並在2025年末進入大批量生產，客户在2026年就能收到首批2nm芯片。

據相關媒體 報道 ，摩根士丹利分享了來自供應鏈的消息，最新報告顯示台積電將在2025年開始大規模生產2nm芯片，這與其管理層過往提供的時間表一致。此外，台積電還在準備名為N2P的新工藝，與3nm製程節點的命名類似，這是N2的增強版，反映了生產工藝方面的改進。

台積電將2nm製程節點的生產放在了位於中國台灣新竹寶山的工廠，這裏採用了台積電最先進的工藝，另外還在台中地區建設第二座工廠，稱為Fab 20，將分階段建造。據瞭解，N2P工藝將使用背面供電（BSPD）技術來提高性能，業界稱之為通硅孔（TSVs）的延伸，可以將不同芯片模塊堆疊在一起，相互粘合，新工藝將進一步提高芯片的能效。

雖然台積電的3nm製程節點很快將大規模生產，不過摩根士丹利認為台積電今年第二季度的收入仍將下降5%至9%，比起之前4%的跌幅擴大了，原因來自於智能手機芯片訂單的減少，同時將台積電2023年全年的預期收入從“小幅度增長”下調至“持平”。