三星在去年6月， 宣佈 其位於韓國的華城工廠開始生產3nm芯片。作為現階段半導體制造工藝中最先進的技術之一，三星也成為了全球唯一一家提供採用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架構晶體管技術，提供3nm工藝代工服務的代工企業。

這也是三星首次實現GAA“多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）”應用，打破了FinFET原有的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高能耗比，同時還通過增加驅動電流增強芯片性能。台積電（TSMC）隨後在去年12月，也 宣佈 啟動3nm工藝的大規模生產，雙方開始為3nm製程節點的訂單展開激烈競爭。不同的是，台積電仍使用傳統的FinFET（鰭式場效應晶體管）。

據FNNews 報道 ，三星表示其3nm工藝量產後的良品率已達到60%到70%之間。這個數字對吸引客户的訂單至關重要，因為晶圓訂單首先考慮的是產量，其次才是每片晶圓的成本。過去三星的先進工藝在良品率方面，被認為存在數據假的問題，引發了不小的爭議。隨着近期5nm及其以下工藝的良品率提升，三星嘗試在芯片設計者中重新建立信心。

三星還介紹了其3nm製程節點未來的計劃，在SF3E（3GAE）之後，2023年至2024年間會逐步引入SF3（3GAP）及其改進版的SF3P（3GAP+）。到了2025年至2026年間，開始切入2nm製程節點，推出SF2和SF2P。更為先進的SF1.4預計會在2027年量產，這點去年三星也 提及 過。